納米氧化硅在太陽(yáng)能電池中的應(yīng)用主要體現(xiàn)在提高太陽(yáng)能電池的性能和效率方面。以下是幾個(gè)主要的應(yīng)用點(diǎn)和相應(yīng)的參考信息：

1. 硅異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的效率提升：

• 利用納米氧化硅（nc-SiOx:H）作為硅異質(zhì)結(jié)（SHJ）太陽(yáng)能電池的窗口層，蘇州大學(xué)張曉宏、楊新波等人的研究實(shí)現(xiàn)了26.41%的高光電轉(zhuǎn)換效率。這一成果強(qiáng)調(diào)了納米氧化硅在提高硅異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池效率方面的潛力。

• 該研究通過(guò)開(kāi)發(fā)一種工業(yè)規(guī)模的高頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，成功沉積了具有優(yōu)異電子選擇性、低寄生吸收和高均勻性的摻雜nc-SiOx:H。這一技術(shù)降低了硅異質(zhì)結(jié)技術(shù)大規(guī)模制造的門(mén)檻。

2. 減少寄生吸收和柵線遮擋：

• 納米氧化硅窗口層的應(yīng)用有助于減少硅異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池中的寄生吸收和柵線遮擋，這是提高太陽(yáng)能電池性能的關(guān)鍵。通過(guò)優(yōu)化窗口層的材料和制備工藝，可以進(jìn)一步提高太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。

3. 大面積均勻性和電池效率分布：

• 在大面積（2.03*2.03 m2）nc-SiOx:H(n)窗口層PECVD沉積系統(tǒng)的研究中，甚高頻（27 MHz, VHF1）技術(shù)被證明能夠在大尺寸腔體中將駐波效應(yīng)降至最低，表現(xiàn)出更優(yōu)異的薄膜厚度均勻性和電池效率分布均勻性。

4. 暗衰機(jī)理和電池效率損失分析：

• 蘇州大學(xué)楊新波教授團(tuán)隊(duì)對(duì)nc-SiOx:H(n)層的微觀結(jié)構(gòu)、界面演變、大面積均勻性、暗衰機(jī)理、電池效率損失分析等方面進(jìn)行了深入研究。這些研究有助于更好地理解納米氧化硅在太陽(yáng)能電池中的作用機(jī)制，為進(jìn)一步提高太陽(yáng)能電池的性能提供了理論基礎(chǔ)。

5. 結(jié)合無(wú)種子層銅電鍍技術(shù)：

• 結(jié)合無(wú)種子層銅電鍍技術(shù)制備的高質(zhì)量銅電極，可以進(jìn)一步提高硅異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的性能。這種技術(shù)能夠產(chǎn)生具有高縱橫比和低金屬含量的網(wǎng)格，從而降低電池的成本并提高性能。

綜上所述，納米氧化硅在太陽(yáng)能電池中的應(yīng)用主要是通過(guò)作為窗口層、提高薄膜均勻性、降低寄生吸收和柵線遮擋以及結(jié)合先進(jìn)的制備技術(shù)等方式來(lái)提高太陽(yáng)能電池的性能和效率。隨著研究的深入和技術(shù)的進(jìn)步，納米氧化硅在太陽(yáng)能電池領(lǐng)域的應(yīng)用前景將更加廣闊。